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2014-04-29
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三星预估DRAM供需将保持平衡
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)29日公布，2014年第1季(1-3月)半导体部门合并营收年增9%(季减10%)至9.39兆韩圜；合并营益年增82%(季减2%)至1.95兆韩圜。三星指出，1-3月记忆体营收年增23%(季减3%)至6.29兆韩圜。
三星指出，1-3月虽是行动装置传统淡季，但伺服器、游戏机绘图解决方案对记忆体的需求仍强劲，该公司也扩大高阶的20奈米DRAM制程产能，进一步改善获利率。另外，NAND型快闪记忆体(NAND Flash)事业虽然面临均价下滑的困境，但在该公司积极因应高容量记忆卡的需求、以及高附加价值的3位元NAND Flash销量攀升的带动下，整个部门的获利仍得以维持。
在系统LSI部门方面，行动应用处理器(AP)需求受到淡季效应影响，使得营收呈现季减。不过，CMOS影像感测器(CIS)的营收却在次世代影像感测器技术“ISOCELL”发表后逐渐攀升。
展望本季(Q2)，三星预估伺服器、绘图相关DRAM需求将保持强劲，而PC、行动装置的DRAM需求也会逐渐增温。三星将继续转移至20奈米制程技术、增加高附加价值且具有差异性的产品，藉此提升或利率。另外，资料中心的伺服器DRAM、固态硬碟(SSD)需求应该会持续上升。
展望2014年，三星预估DRAM供需将保持平衡，而资料中心、PC用SSD对NAND Flash则会上升。
另外，三星还表示，透过与专业晶圆代工厂格罗方德半导体(GlobalFoundries Inc.)对14奈米制程技术的合作，中期成长前景将更佳。barrons、com部落格4月21日报导，Susquehanna金融集团分析师Mehdi Hosseini指出，三星电子将最先进的14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)生产技术授权给格罗方德，台积电(2330)未来的产品均价恐将因而走低。
全球第2大记忆体制造商SK Hynix Inc.甫于日前宣布，在DRAM需求改善、之前因失火而停摆的无锡厂房恢复量产的带动下，第1季(1-3月)净利飙升逾4倍。
韩国联合通讯社(Yonhap)、路透社报导，SK Hynix 4月24日公布的第1季(1-3月)财报显示：净利由去年同期的1,787亿韩圜狂升348.9%至8,022亿韩圜(7.717亿美元)；营收年增34.6%至3.74兆韩圜；营益从去年同期的3,169亿韩圜大增至1.05兆韩圜，为自2013年第3季以来首度站上1兆韩圜大关。根据Thomson Reuters I/B/E/S调查，分析师原本预期该公司Q1营益将达9,710亿韩圜。
